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FDD4243_F085

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-40V,-14A,64mΩ; •典型 rDS(on) = 36 mΩ (VGS = -10 V、ID = -6.7 A)\n•VGS = -4.5V,ID = -5.5A时,典型rDS(on) = 48mΩ \n•VGS = -10V时,典型Qg(TOT) = 21nC\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101\n;

P-Channel PowerTrench® MOSFET, -40V, -14A, 64mΩ

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FDD4243-F085

丝印:FDD4243;Package:TO252;P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -40V, -14A, 64m廓

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FDD5N60NZ

FAIRCHILD
TO-252

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

相关企业:深圳市欧立现代科技有限公司

FDD6685

Fairchild
TO-252

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

相关企业:深圳市创博伟业科技有限公司

FDD8444L

FAIRCHILD/仙童
TO-252

ETC

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    -40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    -3

  • ID Max (A):

    -14

  • PD Max (W):

    50

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    48

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    36

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    21

  • Ciss Typ (pF):

    1165

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

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FairchildSemiconductor
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更多FDD4243_F085供应商 更新时间2025-7-30 10:06:00