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FDD2670_ONSEMI/安森美半导体_MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET高捷芯城一部
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:FDD2670
- 生产厂家
:安森美
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:200
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4.5
- ID Max (A)
:3.6
- PD Max (W)
:70
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:130
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:27
- Ciss Typ (pF)
:1228
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
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