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SE2582L-R

RangeCharger??2.4GHzPowerAmplifierwithPowerDetector

SiGe

SiGe Semiconductor, Inc.

SMZ2582

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

EIC

EIC discrete Semiconductors

SMZ2582

1.3W82VZenerdiode

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者:深圳冠荣电子有限公司

SMZ2582

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SZ2582

SurfaceMountSiliconZenerDiodes

VZ:2.7-200Volts PD:1.3Watts Features ◇CompleteVoltageRange2.7to200Volts ◇Highpeakreversepowerdissipation ◇Highreliability ◇Lowleakagecurrent ◇Pb/RoHSFree

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

SZ2582

1.3WattsSurfaceMountZenerDiodes

Features ●CompleteVoltageRange2.7to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SZ2582

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SZ2582

1.3W82VZenerdiode

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者:深圳冠荣电子有限公司

SZ2582

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

EIC

EIC discrete Semiconductors

TA2582ATCA

TCSAWFilter978MHzSMD3X3mm(BW=5MHz)

TAI-SAW

TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

详细参数

  • 型号:

    FDD2582_Q

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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FAIRCHILD/仙童
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TO-252
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保证原装正品,假一陪十
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只做原装正品现货!或订货假一赔十!
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专注配单,只做原装进口现货
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一级代理商进口原装现货、价格合理
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更多FDD2582_Q供应商 更新时间2025-6-7 11:00:00