60 V、45 A、17 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench®

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 45A, 20mΩ rDS(ON) = 17 mOhms（典型值），VGS = 10 V，ID = 45 A\n Qg(tot) = 15 nC（典型值），VGS = 10 V\n 低米勒电荷\n 低 QRR体二极管\n UIS能力（单脉冲和重复脉冲）\n 符合AEC Q101\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET

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仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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