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GBG640CT	文件：189.22 Kbytes Page：3 Pages	TheGBG640CTisdesignedforlowvoltage,highfrequencyinverter,freewheeling,andpolarityprotectionapplication	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
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GSIB640	文件：104.83 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GSIB640	文件：129.509 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERVoltage:50to1000VCurrent:6.0A	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
GSIB640	文件：93.97 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers FEATURES •ULrecognitionfilenumberE54214 •Thinsinglein-linepackage •Glasspassivatedchipjunction •Highsurgecurrentcapability •Highcasedielectricstrengthof1500VRMS •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GSIB640N	文件：93.95 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers FEATURES •ULrecognitionfilenumberE54214 •Thinsinglein-Iinepackage •Glasspassivatedchipjunction •Highsurgecurrentcapability •Highcasedielectricstrengthof1500VRMS •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
FDC640P
功能描述：
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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