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详细参数

  • 型号：

    FDC6318P_Q

  • 功能描述：

    MOSFET SuperSOT-3

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

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FDC6318PMOS(场效应管)
FAIRCHILD/仙童
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更多FDC6318P_Q供应商 更新时间2025-11-22 11:00:00

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