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厂商型号

FDC604P

功能描述

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

359.42 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-2 20:00:00

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FDC604P规格书详情

General Description

This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.

特性 Features

• –5.5 A, –20 V. RDS(ON) = 33 mΩ @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 43 mΩ @ VGS = –2.5 V

RDS(ON) = 60 mΩ @ VGS = –1.8 V

• Fast switching speed.

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

Applications

• Battery management

• Load switch

• Battery protection

产品属性

  • 型号:

    FDC604P

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT-6 P-CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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