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FDBL86563_F085

Automotive Engine Control

文件:492.88 Kbytes 页数:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDBL86563_F085

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,240A,1.5mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 240A, 1.5mΩ • 典型值 RDS(on) = 1.1 mΩ(VGS =10 V, ID = 80 A 时)\n• 典型 Qg(tot) = 130 nC(VGS = 10 V、ID = 80 A时)\n• UIS 能力\n• 符合RoHS标准\n• 符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDBL86563-F085

丝印:FDBL86563;Package:MO-299A;N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60 V, 240 A, 1.5 m廓

Features - Typical RDS(on) = 1.1 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A - Typical Qg(tot) = 130 nC at VGS = 10V, ID = 80 A - UIS Capability - RoHS Compliant - Qualified to AEC Q101 Applications - Automotive Engine Control - PowerTrain Management - Solenoid and Motor Drivers - Integrated Starter/Al

文件:510.67 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDB86563_F085

Automotive Engine Control

文件:474.21 Kbytes 页数:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    240

  • PD Max (W):

    357

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    1.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    130

  • Ciss Typ (pF):

    10300

  • Package Type:

    TO-LL 8L

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更多FDBL86563_F085供应商 更新时间2025-10-11 15:08:00