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FDB6021P中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDB6021P
厂商型号

FDB6021P

功能描述

20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

80.52 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 14:07:00

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FDB6021P规格书详情

General Description

This P-Channel power MOSFET uses Fairchild’s low voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.

Features

• –28 A, –20 V. RDS(ON) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V

RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = 2.5 V

RDS(ON) = 65 mΩ @ VGS = 1.8 V

• Critical DC electrical parameters specified at

elevated temperature

• High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

• 175°C maximum junction temperature rating

Applications

• Battery management

• Load switch

• Voltage regulator

产品属性

  • 型号:

    FDB6021P

  • 功能描述:

    MOSFET P-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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