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FDB52N25	文件：328.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=44A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =69mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：328.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDB8443	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市旺财半导体有限公司	FAIRCHILD
FDBL0630N150	文件：0 bytes Page：0 Pages	PSOF-8L	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
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