首页 >FDB16AN08A0MOS>规格书列表
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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelPowerTrenchMOSFET75V,58A,16m? | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
N-ChannelUltraFETTrenchMOSFET75V,50A,16m? | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=100V,ID=40A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 | Bychip | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelPowerTrenchMOSFET75V,58A,16m? | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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