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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelPowerTrench짰MOSFET75V,80A,4.5m廓 | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
N-ChannelUltraFETTrenchMOSFET75V,80A,4.5m? | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild |
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