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FDB045AN08A0

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

FDB045AN08A0

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET75V,80A,4.5m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDB045AN08A0

N-ChannelUltraFETTrenchMOSFET75V,80A,4.5m?

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

  • 型号:

    FDB045AN08A0_Q

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel UltraFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多FDB045AN08A0_Q供应商 更新时间2025-7-29 14:17:00