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FDA8440中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,逻辑电平,40 V,10 A,2.1 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDA8440

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,逻辑电平,40 V,10 A,2.1 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-18 13:38:00

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FDA8440规格书详情

描述 Description

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 40 V, 10 A, 2.1 mΩ
Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.

特性 Features

•RDS(on) = 1.46mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 80A
•QG(tot) = 345nC(典型值) @ VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 Qrr 体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
•保证160A电流持续2秒
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工业级电机
• 其他工业

技术参数

  • 制造商编号

    :FDA8440

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :100

  • PD Max (W)

    :306

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :345

  • Ciss Typ (pF)

    :18600

  • Package Type

    :TO-3P-3L

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