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FCU900N60Z中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FCU900N60Z
厂商型号

FCU900N60Z

功能描述

600V N-Channel MOSFET

文件大小

268.61 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名称

仙童半导体 飞兆/仙童半导体公司

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数据手册

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更新时间

2025-8-9 10:35:00

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FCU900N60Z规格书详情

描述 Description

SuperFET®II is, Fairchild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.

特性 Features

• 675V @TJ = 150oC

• Max. RDS(on) = 900mΩ

• Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 13nC)

• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss.eff = 49pF)

• 100 Avalanche Tested

• ESD Improved Capacity

产品属性

  • 型号:

    FCU900N60Z

  • 功能描述:

    MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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