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FCU360N65S3R0分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

FCU360N65S3R0
厂商型号

FCU360N65S3R0

参数属性

FCU360N65S3R0 封装/外壳为TO-251-3 短截引线,IPak;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 600V IPAK

功能描述

MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 10 A, 360 m
MOSFET N-CH 600V IPAK

丝印标识

FCU360N65S3R0

封装外壳

IPAK / TO-251-3 短截引线,IPak

文件大小

364.49 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 19:30:00

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FCU360N65S3R0规格书详情

FCU360N65S3R0属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由安森美半导体公司制造生产的FCU360N65S3R0晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

描述 Description

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high

voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge

balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate

charge performance. This advanced technology is tailored to minimize

conduction loss, provide superior switching performance, and

withstand extreme dv/dt rate.

Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for various

power systems for miniaturization and higher efficiency.

特性 Features

• 700 V @ TJ = 150°C

• Typ. RDS(on) = 310 m

• Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 18 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 173 pF)

• 100 Avalanche Tested

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Applications

• Computing / Display Power Supplies

• Telecom / Server Power Supplies

• Industrial Power Supplies

• Lighting / Charger / Adapter

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FCU360N65S3R0

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    SuperFET® III

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    10A(Tc)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    I-PAK

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短截引线,IPak

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V IPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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