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FCPF9N60NT中文资料N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 9A, 385mΩ数据手册ONSEMI规格书
FCPF9N60NT规格书详情
描述 Description
SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。
特性 Features
•RDS(on) = 330mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 4.5A
•超低栅极电荷(典型值Qg = 22nC )
•低有效输出电容(典型值Coss.eff = 106pF )
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FCPF9N60NT
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:600
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:9
- PD Max (W)
:29.8
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:385
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:22
- Ciss Typ (pF)
:930
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO220F |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
原装 |
65790 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO220 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
TO-220 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
39197 |
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FAIRCHILD |
原装 |
13302 |
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询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220F |
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