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FCPF36N60NT中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，36 A，90 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FCPF36N60NT规格书详情
描述 Description
SupreMOS MOSFET 是 Fairchild 新一代高压超级结 MOSFET，它采用了深度沟道填充工艺，与先前基于多 EPI 的技术相比，具有很大的优势。SupreMOS利用该高级技术和精确的工艺控制，提供了世界一流的RSP、超级开关性能和坚固性。该 SupreMOS MOSFET 可满足业界 AC-DC SMPS 对 PFC、服务器/通信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用的要求。
特性 Features
•RDS(on) = 81mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 18 A
•超低栅极电荷（典型值Qg = 86nC）
•低效输出电容
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
：FCPF36N60NT
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：4
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：36
- PD Max (W)
：312
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：90
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：86
- Ciss Typ (pF)
：3595
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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询价 | ||||
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TO-220F |
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FAIRCHILD/仙童 |
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60000 |
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