600 V、47 A、64 mΩ、TO-247N 沟道 SuperFET™

SuperFET™ 是飞兆专有的新一代高压 MOSFET 系列产品，它利用了先进的电荷平衡机制，实现出色的低导通电阻及更低栅极电荷性能。这一先进技术是专为最大程度地降低导通损耗，提供卓越开关性能，以及承受高雪崩和极端 dv/dt 比率而定制的。 因此，SuperFET 特别适合各种车用 DC/DC 电源转换。 •典型 rDS(on) = 64 mΩ（VGS = 10 V、ID = 47 A）\n•典型 Qg(tot) = 190 nC（VGS = 10 V、ID = 47 A）\n•UIS 能力\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FCH47N60；Package：TO-247-3LD；MOSFET ??N-Channel 600 V, 47 A, 79 m

Description SUPERFET® is ON Semiconductor’s proprietary new generation of high voltage MOSFETs utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide s

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ONSEMI

安森美半导体

N/O

ON

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TO-3P

FSC

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SMD

TAI-TECH/台庆

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