FCH30E10V中文资料分立式半导体 肖特基势垒二极管（SBD）数据手册Kyocera规格书
FCH30E10V规格书详情
描述 Description
Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between semiconductor materials and metal electrodes, e.g., Schottky barrier. They have lower forward voltage (VF) characteristics and shorter reverse recovery time (trr) than typical PN junction diodes, making them suitable for switching operation. However, the reverse current (IR) is larger than that of conventional PN diodes.
特性 Features
・Low leakage current
・High frequency operation
・Epoxy Resin (UL94V-0 recognized)
应用 Application
电源供应
工业设备
技术参数
- 制造商编号
：FCH30E10V
- 生产厂家
：Kyocera
- VRRM [V]
：100V
- Io [A]
：30.0A
- IFSM [A]
：250.0A
- IR [mA]
：0.100mA
- VFM [V]
：0.80V
- @IFM [A]
：15.0A
- 工作温度范围
：-40℃ ~ 150℃
- Rth(j-c) [°C/W]
：1.50°C/W
- Connection type
：E
- 质量
：1.750g
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