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FCH22N60N中文资料功率 MOSFET,N 沟道,SUPREMOS®,FAST,600 V,22 A,165 mΩ,TO-247数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FCH22N60N

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,SUPREMOS®,FAST,600 V,22 A,165 mΩ,TO-247

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:05:00

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FCH22N60N规格书详情

描述 Description

SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

特性 Features

•BVDSS = 650V @ TJ = 150°C
•RDS(on) = 140mΩ (典型值)@ VGS = 10V,ID = 11A
•超低栅极电荷(典型值Qg = 45nC )
•低有效输出电容(典型值Coss.eff = 196.4pF )
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FCH22N60N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :22

  • PD Max (W)

    :205

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :165

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :45

  • Ciss Typ (pF)

    :1950

  • Package Type

    :TO-247-3

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