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FCB125N65S3中文资料PDF规格书

FCB125N65S3
厂商型号

FCB125N65S3

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

333.04 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-6-21 22:30:00

FCB125N65S3规格书详情

FEATURES

·Drain Current : ID= 24A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 650V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 125mΩ(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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