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IRF7702	文件：138.75 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-12V) Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702	文件：144.31 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702GPBF	文件：243.43 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-ResistanceP-ChannelMOSFETVerySmallSOICPackageLowProfile(1.2mm)AvailableinTape&ReelLead-FreeHalogen-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702GPBF	文件：233.57 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFETUltraLowOn-Resistance1.8VRated Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702PBF	文件：184.83 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702TR	文件：144.31 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702TRPBF	文件：190.31 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
LMP7702	文件：1.40185 Mbytes Page：22 Pages	Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMP7702	文件：1.4439 Mbytes Page：44 Pages	Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMP7702	文件：1.2212 Mbytes Page：35 Pages	LMP7701/LMP7702/LMP7704Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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