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F3L30R06W1E3_B11

EasyPACK module with Trench/Feldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC

文件:575.21 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

F3L400R07ME4

MODULE

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市明嘉莱科技有限公司

INFINEON/英飞凌

F3L400R07W3S5B59BPSA1

Module

Infineon Technologies

上传:深圳市华睿芯科技有限公司

Infineon Technologies

F3L400R10W3S7F_B11

MODULE

Infineon

英飞凌

上传:深圳市斌腾达科技有限公司

F3L600R10W4S7F_H11

MODULE

Infineon

英飞凌

上传:深圳市斌腾达科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    F3L30R06W1E3_B11

  • 功能描述:

    IGBT 模块 IGBT MODULES 600V 30A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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更多F3L30R06W1E3_B11供应商 更新时间2025-12-11 14:13:00