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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.13Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
FRD-LowForwardVoltageDrop ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRectification FEATURES *SimilartoTO-247ACCase *DualDiodes–CathodeCommon *Ultra–FastRecovery *LowForwardVoltageDrop *HighSurgeCapability | NIEC Nihon Inter Electronics Corporation | NIEC | ||
FRED | NI National Instruments Inc. | NI | ||
PowerSchottkyRectifier-20Amp60Volt | SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司 | SIRECT | ||
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LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifiers | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
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