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QBH-1423	文件：47.22 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH	SPECTRUM
QBH-1423PM	文件：39.88 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
RN1423	文件：322.45 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications •Highcurrenttype(IC(max)=800mA) •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess •LowVCE(sat) •ComplementarytoRN2401~RN2406	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN1423	文件：547.59 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
S1423	文件：88.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPNPEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS) GENERALPURPOSEAMPLIFIERANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES: -ExcellenthFELinearity:hFE(0.1mA)hFE(2mA) =0.95(Typ.) .DesignedforComplementaryUsewithS1420(hFE=70700 ; .SmallCollectorOutputCapacitance:Cob=4.5pF(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SCV1423	文件：308.02 Kbytes Page：16 Pages	BoostConverterSync-Rect,PFM,DC-DC,True-Cutoff,Ring-Killer400mA NCP1423isamonolithicmicropowerhighfrequencystep−up switchingconverterICspeciallydesignedforbatteryoperatedhand −heldelectronicproducts.ItintegratesSynchronousRectifierfor improvingefficiencyaswellaseliminatingtheexternalSchottky Diode.Highswitchingfrequency(up	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SD1423	文件：54.76 Kbytes Page：4 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORS800-960MHzBASESTATIONAPPLICATIONS DESCRIPTION TheSD1423isagoldmetallizationepitaxialsiliconNPNplanartransistorusingdiffusedemitterballastresistorsforhighlinearityClassABoperationforcellularbasestationapplications.TheSD1423isdesignedasamediumpoweroutputdeviceorasthedriverfortheSD1424. ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SFT1423	文件：285.7 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SFT1423	文件：1.08624 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SFT1423	文件：409.18 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,2A,4.9,SingleTP/TP-FA N-ChannelPowerMOSFET 500V,2A,4.9Ω,SingleTP/TP-FA Features •ON-resistance •Protectiondiodein •4Vdrive	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
F1423EVB-DLI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
开发板，套件，编程器 > 射频评估和开发套件，开发板
包装：
盒
类型：
放大器
频率：
600MHz ~ 3GHz
配套使用/相关产品：
F1423
所含物品：
板
描述：
RF

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