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F1221

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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Polyfet

HC1221W

specially designed for high efficient discharge application

文件:492.9 Kbytes 页数:2 Pages

CSB-BATTERY

希世比能源

HR1221W

specially designed for high efficient discharge application

文件:488.26 Kbytes 页数:2 Pages

CSB-BATTERY

希世比能源

IPP-1221

OUTLINE 2-WAY

文件:63.07 Kbytes 页数:1 Pages

IPP

详细参数

  • 型号:

    F1221

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全称:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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更多F1221供应商 更新时间2025-10-9 14:04:00