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F1129MBNELI8

50Ω SE-In – 100Ω DIFF-Out Amplifier 3.0GHz to 4.2GHz

Features RF range: 3.0GHz to 4.2GHz Gain = 19dB at 3.55GHz Noise figure = 1.8dB at 3.55GHz OIP3 = +32dBm at 3.55GHz Output P1dB = +18dBm at 3.55GHz Gain variation over temperature = ±0.15dB typical 50Ω single-ended input impedances 100Ω differential output impedances 3.3V or 5V p

文件:2.084909 Mbytes 页数:22 Pages

RENESAS

瑞萨

F1129MBNELI8

Package:12-WFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:VFQFPN 2.00X2.00X0.75 MM, 0.50MM

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

F1203XT-1WR2

电源模块

F1205S-2WR2

SIP

f1212s-2wr2

直插

金升阳

产品属性

  • 产品编号:

    F1129MBNELI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 频率:

    3GHz ~ 4.2GHz

  • P1dB:

    18dBm

  • 增益:

    18dB

  • 噪声系数:

    2.2dB

  • 射频类型:

    3G/4G,TDD,FDD

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    70mA

  • 测试频率:

    3.6GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    12-WFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    12-VFQFPN(2x2)

  • 描述:

    VFQFPN 2.00X2.00X0.75 MM, 0.50MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
2447
VFQFPN-12(2x2)
315000
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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更多F1129MBNELI8供应商 更新时间2026-2-6 15:01:00