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F1170	文件：43.4 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR??? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
FT-1170	文件：70.13 Kbytes Page：1 Pages	FANTRAYASSEMBLY	BUD Bud Industries, Inc.	BUD
GLSAR1170	文件：765.84 Kbytes Page：12 Pages	SURFCOIL짰SMTINDUCTORSANDTRANSFORMERS(PROFESSIONALGRADE)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
ICF-1170I	文件：717.23 Kbytes Page：3 Pages	IndustrialCAN-to-fiberconverters	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
ICF-1170I-M-ST	文件：717.23 Kbytes Page：3 Pages	IndustrialCAN-to-fiberconverters	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
ICF-1170I-M-ST-T	文件：717.23 Kbytes Page：3 Pages	IndustrialCAN-to-fiberconverters	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
K1170	文件：49.25 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET •Lowon-resistance •Highspeedswitching •Lowdrivecurrent •Nosecondarybreakdown •SuitableforswitchingregulatorandDC-DCconverter	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
KTC1170	文件：351.15 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGH-DEFINITIONCRTDISPLAYVIDEOOUTPUT) HIGH-DEFINITIONCRTDISPLAY. VIDEOOUTPUTAPPLICATION. FEATURES •HighVoltage:VCEO=200V. •highTransitionFrequency:fT=150MHz(Typ.) •LowCollectorOutputCapacitance:Cob=1.7pF(Typ.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
LR1170	文件：178.82 Kbytes Page：6 Pages	800MALDOREGULATOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
LT1170	文件：266.31 Kbytes Page：20 Pages	100kHz,5A,2.5Aand1.25AHighEfficiencySwitchingRegulators	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER

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