F1081中文资料Polyfet数据手册PDF规格书
| 厂商型号 |
F1081 |
| 参数属性 | F1081 封装/外壳为2-SMD，无引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光；产品描述：2.8(L)X 1.2 (W)X 0.8 (H) MM IRP |
| 功能描述 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR??? |
| 文件大小 |
40.28 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Polyfet RF Devices |
| 企业简称 |
Polyfet |
| 中文名称 | Polyfet RF Devices官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-27 14:45:00 |
F1081规格书详情
General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
200Watts Gemini
Package Style AR
HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE
产品属性
- 产品编号：
F1081IRP-A1C000142U1930
- 制造商：
Harvatek Corporation
- 类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 类型：
红外（IR）
- 电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
- 不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
10mW/sr @ 100mA
- 波长：
850nm
- 电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.9V
- 视角：
120°
- 方向：
顶视图
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C
- 安装类型：
表面贴装，直角
- 封装/外壳：
2-SMD，无引线
- 描述：
2.8(L)X 1.2 (W)X 0.8 (H) MM IRP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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