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AVHT416	文件：369 Kbytes Page：10 Pages	IlluminatedPushbutton-16mm&19mm	CITCIT CIT	CIT
BAS416	文件：546.64 Kbytes Page：7 Pages	Low-leakagedoublediode	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BAS416	文件：121.76 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagediode	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS416	文件：121.76 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagediode DESCRIPTION Epitaxial,medium-speedswitchingdiodewithalowleakagecurrentencapsulatedinasmallSOD323SMDplasticpackage. FEATURES •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8µs •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitivepeakreverse	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS416	文件：63.65 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagediode FEATURES •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8µs •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitivepeakreversevoltage:max.85V •Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA. APPLICATIONS •Low-leakagecurrentapplication	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS416	文件：200.1 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakagediode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitchingdiodewithalowleakagecurrentencapsulatedinasmall SOD323SMDplasticpackage. 2.Featuresandbenefits •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8us •Continuousreversevoltage:max.75	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS416	文件：1.14973 Mbytes Page：3 Pages	Small-SignalFastSwitchingDiodes FEATURES VR100V IFAV200mA	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
BAS416-Q	文件：194.46 Kbytes Page：9 Pages	Low-leakageswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitchingdiodewithalow-leakagecurrentencapsulatedinasmall SOD323SMDplasticpackage. 2.Featuresandbenefits •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8us •Continuousreversevoltage:max.75	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS416V	文件：496.93 Kbytes Page：7 Pages	Low-leakagedoublediode	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC416	文件：130.139 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONAFLOWNOISESMALLSIGNALTRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC416	文件：354 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage Lownoisebetween30Hzand15kHz Complementarytypes:BC413,BC414(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC416A	文件：354 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage Lownoisebetween30Hzand15kHz Complementarytypes:BC413,BC414(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC416B	文件：354 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage Lownoisebetween30Hzand15kHz Complementarytypes:BC413,BC414(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC416C	文件：354 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage Lownoisebetween30Hzand15kHz Complementarytypes:BC413,BC414(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
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BD-F416RD	文件：197.87 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAYS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BF416	文件：95.37 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR,EPITAXIALPLANAR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BGA416	文件：88.94 Kbytes Page：8 Pages	RFCascodeAmplifier Description BGA416isamonolithicsiliconcascodeamplifierwithhighreverseisolation.Abiasnetworkisintegratedforsimplifiedbiasing. Feature •GMA=23dBat900MHz •Ultrahighreverseisolation,60dBat900MHz •Lownoisefigure,F50Ω=1.2dBat900MHz •Onchipbiascircuit	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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产品属性

产品编号：
EVE-QDBRL416B
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
传感器，变送器 > 编码器
系列：
EVEQ
编码器类型：
机械
输出类型：
正交（增量）
每转脉冲数：
16
致动器类型：
12mm 直径圆形端头
棘爪：
是
内置开关：
是
安装类型：
PCB，通孔
方向：
垂直
端接样式：
PC 引脚
旋转寿命（最少次数）：
30K
描述：
ROTARY ENCODER MECHANICAL 16PPR

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