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BAS416	文件：63.65 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakage diode FEATURES •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8µs •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitivepeakreversevoltage:max.85V •Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA. APPLICATIONS •Low-leakagecurrentapplication	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS416	文件：121.76 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakage diode DESCRIPTION Epitaxial,medium-speedswitchingdiodewithalowleakagecurrentencapsulatedinasmallSOD323SMDplasticpackage. FEATURES •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8µs •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitivepeakreverse	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS416	文件：200.1 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakage diode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitchingdiodewithalowleakagecurrentencapsulatedinasmall SOD323SMDplasticpackage. 2.Featuresandbenefits •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8us •Continuousreversevoltage:max.75	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS416	文件：1.14973 Mbytes Page：3 Pages	Small-Signal Fast Switching Diodes FEATURES VR100V IFAV200mA	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
BAS416	文件：121.76 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakage diode	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS416	文件：546.64 Kbytes Page：7 Pages	Low-leakage double diode	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BAS416	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：SC-76，SOD-323 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
BAS416-HF	文件：466.41 Kbytes Page：4 Pages	Small-Signal Fast Switching Diodes Features -Fastswitchingspeed. -Lowleakagecurrent.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BAS416-Q	文件：194.46 Kbytes Page：9 Pages	Low-leakage switching diode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitchingdiodewithalow-leakagecurrentencapsulatedinasmall SOD323SMDplasticpackage. 2.Featuresandbenefits •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8us •Continuousreversevoltage:max.75	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS416_13	文件：121.76 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakage diode	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS416_15	文件：121.76 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakage diode	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS416V	文件：496.93 Kbytes Page：7 Pages	Low-leakage double diode	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BAS416F	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-76，SOD-323 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS416Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-76，SOD-323 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
BAS416
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-76，SOD-323
供应商器件封装：
SOD-323
工作温度 - 结：
150°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

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