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EVAL-ADE7756EB	文件：347.67 Kbytes Page：32 Pages	ActiveEnergyMeteringICwithSerialInterface GENERALDESCRIPTION TheADE7756isahigh-accuracyelectricalpowermeasurementICwithaserialinterfaceandapulseoutput.TheADE7756incorporatestwosecond-ordersigma-deltaADCs,referencecircuitry,temperaturesensor,andallthesignalprocessingrequiredtoperformactivepowerand	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
EVAL-ADE7756EB	文件：3.56325 Mbytes Page：15 Pages	EvaluationBoardDocumentationAD7756EnergymeteringIC GENERALDESCRIPTION TheADE7756isahigh-accuracyelectricalpowermeasurementICwithaserialinterfaceandapulseoutput.TheADE7756incorporatestwosecond-ordersigma-deltaADCs,referencecircuitry,temperaturesensor,andallthesignalprocessingrequiredtoperformactivepowerand	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
IRF7756	文件：183.12 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7756GPBF	文件：242.13 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7756PBF	文件：242.27 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7756TRPBF	文件：242.28 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
KRF7756	文件：69.03 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance •DualP-ChannelMOSFET •VerySmallSOICPackage •LowProfile(	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MTZJT-7756B	文件：54.07 Kbytes Page：4 Pages	Zenerdiode	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PCA7756	文件：2.51744 Mbytes Page：16 Pages	Converterfrom80-pin0.65mm-pitchQFP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UZ7756	文件：131.36 Kbytes Page：3 Pages	POWERZENERS6Watt,Military,10WattMilitary	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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UZ7756	文件：127.58 Kbytes Page：3 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Fused-in-glass,metallurgicallybonded6wattleadedzenersand10wattstud-type-zeners. FEATURES ●HighSurgeRating ●SmallPhysicalSize ●LeadedandStudPackagesAvailable	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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