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GBJ2008-F	文件：83.59 Kbytes Page：3 Pages	20AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
GBJ2008G	文件：743.13 Kbytes Page：3 Pages	20AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERReverse	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
GBJ2008G	文件：4.22658 Mbytes Page：3 Pages	SINGLEPHASE20AMPGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
GBJ2008T	文件：4.26676 Mbytes Page：3 Pages	SINGLEPHASE20AMPGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
GBJA2008	文件：327.34 Kbytes Page：3 Pages	20AmpGlassPassivatedBridgeRectifier50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
GBJ-KBJ2008	文件：302.05 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE20AMPS.GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
GBJL2008	文件：331.12 Kbytes Page：3 Pages	20AmpGlassPassivatedBridgeRectifier50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
GBU2008	文件：424.55 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers Features ●Glasspassivatedchip ●Lowforwardvoltagedrop ●Idealforprintedcircuitboard ●Highsurgecurrentcapability ●MeetULflammabilityclassification94V-0 Applications ●GeneralpurposeuseinAC/DCbridgefullwaverectification,forSMPS,lightingballaster,adapter,etc.	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
GBU2008	文件：423.01 Kbytes Page：2 Pages	Voltage50V~1000V20AmpGlassPassivatedBridgeRectifiers FEATURES •Io:20A •VRRM:50~1000V •Glasspassivatedchip •Highsurgeforwardcurrentcapability APPLICATIONS •Generalpurpose1phaseBridgerectifierapplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
GBU2008	文件：518.59 Kbytes Page：3 Pages	20AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERReverse Voltage-100to1000V ForwardCurrent–20A FEATURES ♦Surgeoverloadrating-240amperespeak ♦Polarity:Asmarkedonbody ♦Idealforprintedcircuitboard ♦PlasticmaterialhasU/L Theflammabilityclassification94V-0 ♦Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastic t	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
GBU2008	文件：1.01128 Mbytes Page：3 Pages	BridgeRectifiers ULrecognition,file#£230084 Glasspassivatedchipjunction\| Idealforprintedcitboards\| Highsurgecurrencapabilly\| Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-8106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
GBU2008	文件：360.11 Kbytes Page：2 Pages	BarrierRectifier ■Features ●Io20A ●VRRM50V~1000V ●Glasspassivatedchip ●Highsurgeforwardcurrentcapability ■Applications ●Generalpurpose1phaseBridgerectifierapplications	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
GBU2008A	文件：1.01244 Mbytes Page：3 Pages	BridgeRectifiers Features ULrecognition,file#£230084 Glasspassivatedchipjunction Idealforprintedcircuitboards Highsurgecurrentcapabilty Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-8106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
GS2008HE	文件：57.58 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
GTL2008	文件：116.02 Kbytes Page：20 Pages	12-bitGTLtoLVTTLtranslatorwithpowergoodcontrolandhigh-impedanceLVTTLandGTLoutputs Generaldescription TheGTL2008/GTL2107isacustomizedtranslatorbetweendualXeonprocessors,PlatformHealthManagement,SouthBridgeandPowerSupplyLVTTLandGTLsignals. Features ■OperatesasaGTLtoLVTTLsamplingreceiverorLVTTLtoGTLdriver ■EN1andEN2disableerroroutput ■	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
GTL2008	文件：201.41 Kbytes Page：22 Pages	12-bitGTLtoLVTTLtranslatorwithpowergoodcontrolandhigh-impedanceLVTTLandGTLoutputs Generaldescription TheGTL2008isacustomizedtranslatorbetweendualXeonprocessors,PlatformHealthManagement,SouthBridgeandPowerSupplyLVTTLandGTLsignals. Featuresandbenefits ■OperatesasaGTLtoLVTTLsamplingreceiverorLVTTLtoGTLdriver ■OperatesatGTL−/GTL/GTL+sign	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
GTL2008PW	文件：116.02 Kbytes Page：20 Pages	12-bitGTLtoLVTTLtranslatorwithpowergoodcontrolandhigh-impedanceLVTTLandGTLoutputs Generaldescription TheGTL2008/GTL2107isacustomizedtranslatorbetweendualXeonprocessors,PlatformHealthManagement,SouthBridgeandPowerSupplyLVTTLandGTLsignals. Features ■OperatesasaGTLtoLVTTLsamplingreceiverorLVTTLtoGTLdriver ■EN1andEN2disableerroroutput ■	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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H2008	文件：274.78 Kbytes Page：5 Pages	10/100BASE-TXVoIPMagneticsModules	pulse Pulse Electronics	pulse
H2008NL	文件：646.41 Kbytes Page：5 Pages	10/100BASE-TXVoIPMagneticsModules	pulse Pulse Electronics	pulse

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晶体管资料

型号：
ETP2008
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
175V
最大电流允许值：
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3DG181D,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
175
htest：
999900
atest：
0
wtest：
.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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