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ESM2012DV	文件：117.92 Kbytes Page：8 Pages	NPN DARLINGTON POWER MODULE ■ HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE ■ VERY LOW RthJUNCTION TO CASE ■ SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ■ ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE ■ FULLY INSULATED PACKAGE (UL COMPLIANT) ■ EASY TO MOUNT ■ LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE INDUSTRIAL APPLICATIONS: ■ MOTOR CONTROL 文件：117.92 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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ESM2012DV	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：ISOTOP；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
ESM2012DV
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
125V
最大电流允许值：
120A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
4
可代换的型号：
最大耗散功率：
175W
放大倍数：
图片代号：
G-54
vtest：
125
htest：
999900
atest：
120
wtest：
175

产品属性

产品编号：
ESM2012DV
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1A，100A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1200 @ 100A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
ISOTOP
供应商器件封装：
ISOTOP®
描述：
TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP

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