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FDN304P

P-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=-20V ●ID=-2.4A(VGS=-4.5V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

FDN304P

POWERMOSFET-3A,-16VP-CHANNEL

DESCRIPTION The FDN304PisavailableinSOT23package FEATURES ⚫-16V/-3A RDS(ON)=160mΩ(Max)@VGS=-4.5V RDS(ON)=240mΩ(Max)@VGS=-2.5V ⚫SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ⚫ReliableandRugged ⚫AvailableinSOT23package APPLICATION ⚫PowerManagement

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

FDN304P

P-Channel1.8VSpecifieddPowerTrenchMosfet

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

FDN304P

SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS

FEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET ●Supperhighdensitycelldesign

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

FDN304P

P-ChannelMOSFET

Features –2.4A,–20V.RDS(ON)=0.052Ω@VGS=–4.5V RDS(ON)=0.070Ω@VGS=–2.5V RDS(ON)=0.100Ω@VGS=–1.8V Fastswitchingspeed Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) SuperSOTTM-3provideslowRDS(ON)and30higher powerhandlingcapabilitythanSOT23

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

FDN304P-NL

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

FDN304PZ

P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ·–2.4A,–20V.RDS(ON)=52mW@VGS=–4.5V RDS(ON)=70mW@VGS=–2.5V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDN304PZ-NL

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

FDV304

DigitalFET,P-Channel

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDV304P

DigitalFET,P-Channel

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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SOT23-5
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TI/德州仪器
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SOT23-5
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公司只做原装,可来电咨询
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更多ESDS304DBVR-TP供应商 更新时间2025-7-16 11:06:00