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PESD5V0S2BQA	文件：754.54 Kbytes Page：14 Pages	ProtectionagainsthighsurgecurrentsinultrasmallDFN1010D-3package	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0S2BT	文件：74.17 Kbytes Page：11 Pages	Lowcapacitancebi-directionaldoubleESDprotectiondiodeinSOT23package Generaldescription Lowcapacitancebi-directionaldoubleESDprotectiondiodeinthesmallSOT23plasticpackagedesignedtoprotect2datalinesfromthedamagecausedbyElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. Features ■Bi-directionalESDprotectionof2lines ■Low	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD5V0S2BT	文件：210.58 Kbytes Page：12 Pages	LowcapacitancebidirectionaldoubleESDprotectiondiode 1.Generaldescription LowcapacitancebidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotecttwodata linesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0S2BT	文件：91.4 Kbytes Page：12 Pages	LowcapacitancebidirectionaldoubleESDprotectiondiode Generaldescription LowcapacitancebidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotecttwodatalinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. Features ■Bidirectiona	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD5V0S2BT	文件：621.27 Kbytes Page：4 Pages	300Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Features 300Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Bidirectionalandunidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent Lowcapacitance(Cj=120pFtyp.) Protectiontwodatalines IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EF	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体	UMW
PESD5V0S2BT-Q	文件：228.61 Kbytes Page：12 Pages	LowcapacitancebidirectionaldoubleESDprotectiondiode 1.Generaldescription LowcapacitancebidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotecttwodata linesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0S2UAT	文件：205.95 Kbytes Page：11 Pages	DoubleESDprotectiondiodeinSOT23package 1.Generaldescription UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodeincommoncathodeconfigurationinasmallSOT23 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotectuptotwodatalinesagainst damagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. 2.Featuresandbene	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0S2UAT	文件：241.54 Kbytes Page：14 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package FEATURES ·UnidirectionalESDprotectionofuptotwolines ·Common-cathodeconfiguration ·Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20ms ·Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A ·Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM30kV ·IEC61000-4-2;lev	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0S2UAT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD5V0S2UAT	文件：122.37 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES •UnidirectionalESDprotectionofupt	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD5V0S2UAT	文件：237.44 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES •UnidirectionalESDprotectionofupt	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD5V0S2UAT-Q	文件：208.37 Kbytes Page：11 Pages	DoubleESDprotectiondiodeinSOT23package 1.Generaldescription UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodeincommoncathodeconfigurationinasmallSOT23 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotectuptotwodatalinesagainst damagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. 2.Featuresandbe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0S2UQ	文件：171.73 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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PESD5V0S2UQ	文件：304.69 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectuptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. Features ■UnidirectionalE	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD5V0S2UQ	文件：675.27 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package 1.1Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultra smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotect uptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Appl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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