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ESD5481

ESD Protection Diodes

文件:112.37 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD5481MUT5G-TP

1-Line Bi-directional ESD DIODE

Features o Low operating voltage: 5V « Ultra low capacitance: 15pF(Typ) Ultra low leakage: nA level « Low clamping voltage o —IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: +30kV Contact discharge: +30kV —IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) —IEC61000-4-5 (Lightning) 8A (8/20ps) o 2-pin lea

文件:1.99336 Mbytes 页数:4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

ESD5481MUT5G

Transient Voltage Suppressors Micro.Packaged Diodes for ESD Protection

文件:109.66 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD5481MUT5G

ESD Protection Diodes

文件:112.37 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD5481MUT3G

Package:0201(0603 公制);包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5VWM 15VC 2X3DFN

ONSEMI

安森美半导体

ESD5481MUT5G

Package:0201(0603 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5VWM 12.4VC 2X3DFN

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    ESD5481

  • 功能描述:

    TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD PROTECTION DIODE

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 极性:

    Bidirectional

  • 击穿电压:

    58.9 V

  • 钳位电压:

    77.4 V

  • 峰值浪涌电流:

    38.8 A

  • 封装/箱体:

    DO-214AB

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 最大工作温度:

    + 150 C

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更多ESD5481供应商 更新时间2026-4-17 9:10:00