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ES3B-E3/57T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：DO-214AB，SMC 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ES3B-E3/9AT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：DO-214AB，SMC 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
S3B-E3	文件：94.39 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedRectifier FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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ES3B-E3/57T

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：DO-214AB，SMC 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

ES3B-E3/9AT

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包装：管件封装/外壳：DO-214AB，SMC 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

S3B-E3

文件：94.39 Kbytes

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SurfaceMountGlassPassivatedRectifier

FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fo

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

产品属性

产品编号：
ES3B-E3/57T
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
45pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AB，SMC
供应商器件封装：
DO-214AB（SMC）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	ES3B-E3/57T	VISHAY/威世	24+	DO-214AB	45000	热卖优势现货	询价
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更多ES3B-E3供应商更新时间2024-6-16 14:14:00

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