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S3B-E3分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

S3B-E3
厂商型号

S3B-E3

参数属性

S3B-E3 封装/外壳为DO-214AB,SMC;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

功能描述

Surface Mount Glass Passivated Rectifier

封装外壳

DO-214AB,SMC

文件大小

94.39 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 16:32:00

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S3B-E3规格书详情

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified

• Material categorization: Fordefinitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

   For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication.

产品属性

  • 产品编号:

    S3B-E3/9AT

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    60pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-214AB,SMC

  • 供应商器件封装:

    DO-214AB(SMC)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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