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ER5810RJT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：轴向；包装：散装类别：电阻器通孔式电阻器描述：RES 10 OHM 5% 7W AXIAL	TE Connectivity Passive Product TE Connectivity Passive Product	TE Connectivity Passive Product
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FDD5810	文件：359.11 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD5810	文件：454.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelTrenchMOSFET60V,36A,27m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD5810	文件：310.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD5810	文件：763.21 Kbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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HI5810JIB	文件：423.85 Kbytes Page：12 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold Description TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successiveapproximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HI5810JIB-T	文件：762.41 Kbytes Page：13 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successive-approximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha5Vsupply.	Intersil Intersil Corporation	Intersil

产品属性

产品编号：
ER5810RJT
制造商：
TE Connectivity Passive Product
类别：
电阻器 > 通孔式电阻器
系列：
ER, CGS
包装：
散装
容差：
±5%
功率 (W)：
7W
成分：
绕线
温度系数：
0/ +60ppm/°C
工作温度：
-55°C ~ 200°C
封装/外壳：
轴向
供应商器件封装：
轴向
大小 / 尺寸：
0.315" 直径 x 0.874" 长（8.00mm x 22.20mm）
描述：
RES 10 OHM 5% 7W AXIAL

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