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EPC2023数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

EPC2023

参数属性

EPC2023 封装/外壳为模具;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:GANFET N-CH 30V 60A DIE

功能描述

增强型功率晶体管
GANFET N-CH 30V 60A DIE

封装外壳

模具

制造商

EPC EPC(Efficient Power Conversion)

中文名称

宜普

数据手册

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更新时间

2025-8-6 17:30:00

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EPC2023规格书详情

特性 Features

• 更高开关频率 – 更低开关损耗、更低功率驱动器
• 更高效 – 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗/li>
• 更细小尺寸 - 更高功率密度
• 更低导通电阻RDS(on) - 工作在更高电流

应用 Application

• DC/DC 转换器
• 马达驱动器
• 工业自动化
• 同步整流
• 浪涌保护装置
• 负载点(POL)转换器

简介

EPC2023属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的EPC2023晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :EPC2023

  • 生产厂家

    :EPC

  • 配置

    :单路

  • VDS最大值

    :30

  • VGS最大值

    :6

  • RDS(on)(mΩ)最大值@5VGS

    :1.45

  • QG(nC)典型值

    :19

  • QGS(nC)典型值

    :5.7

  • QGD(nC)典型值

    :3.2

  • QOSS(nC)典型值

    :30

  • ID (A)

    :90

  • 脉冲电流 ID (A)

    :590

  • 封装(mm)

    :LGA 6.05 x 2.3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
EPC
20+
Die
500
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EPC
21+
LGA
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