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EPC2023 | 增强型功率晶体管 • 更高开关频率 – 更低开关损耗、更低功率驱动器\n• 更高效 – 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗/li>• 更细小尺寸 - 更高功率密度\n• 更低导通电阻RDS(on) - 工作在更高电流; | EPC 宜普 | EPC | |
EPC2023 | Enhancement Mode Power Transistor 文件:1.44452 Mbytes 页数:6 Pages | EPC-CO | EPC-CO | |
EPC2023 | Package:模具;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:GANFET N-CH 30V 60A DIE | EPC | EPC | |
Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters Key Features: • 20W Output Power • 2:1 Input Voltage Range • 1,500 VDC Isolation • Single & Dual Outputs • Efficiency to 86 • Compact 1.6 x 2 In. Case • -40°C to +71°C Operation • Industry Standard Pin-Out • Lowest Cost!! 文件:225.6 Kbytes 页数:2 Pages | MPD | MPD | ||
F2000ERW SERIES 文件:217.73 Kbytes 页数:2 Pages | MPD | MPD | ||
TRANSMIT / RECEIVER FILTER 文件:27.2 Kbytes 页数:1 Pages | BOTHHAND | BOTHHAND |
产品属性
- 产品编号:
EPC2023
- 制造商:
EPC
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 系列:
eGaN®
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- FET 类型:
N 通道
- 技术:
GaNFET(氮化镓)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
60A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
1.3 毫欧 @ 40A,5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
2.5V @ 20mA
- 安装类型:
表面贴装型
- 供应商器件封装:
模具
- 封装/外壳:
模具
- 描述:
GANFET N-CH 30V 60A DIE
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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EPC |
25+ |
模具 |
326 |
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EPC |
22+ |
NA |
9618 |
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EPC |
21+ |
LGA |
557 |
全新原装鄙视假货 |
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EPC |
2022+ |
模具 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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EPC |
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Die |
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EPC |
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9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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EPC |
25+ |
模具 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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