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AMC1100	文件：1.20612 Mbytes Page：33 Pages	AMC1100Fully-DifferentialIsolationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
AMC1100	文件：675.12 Kbytes Page：22 Pages	Fully-DifferentialIsolationAmplifierforEnergyMetering	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
AMC1100DUB	文件：675.12 Kbytes Page：22 Pages	Fully-DifferentialIsolationAmplifierforEnergyMetering	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
AMC1100DUB	文件：1.20612 Mbytes Page：33 Pages	AMC1100Fully-DifferentialIsolationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
AMC1100DUBR	文件：1.20612 Mbytes Page：33 Pages	AMC1100Fully-DifferentialIsolationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
AMC1100DUBR	文件：675.12 Kbytes Page：22 Pages	Fully-DifferentialIsolationAmplifierforEnergyMetering	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
AMC1100DWV	文件：1.20612 Mbytes Page：33 Pages	AMC1100Fully-DifferentialIsolationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
AMC1100DWVR	文件：1.20612 Mbytes Page：33 Pages	AMC1100Fully-DifferentialIsolationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
AOB1100L	文件：297.58 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelRuggedPlanarMOSFET GeneralDescription TheAOT1100L/AOB1100Lusesarobusttechnologythatisdesignedtoprovideefficientandreliablepowerconversioneveninthemostdemandingapplications,includingmotorcontrol.WithlowRDS(ON)andexcellentthermalcapabilitythisdeviceisappropriateforhighcurrentsw	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB1100L	文件：297.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT1100L	文件：303.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT1100L	文件：1.64517 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOT1100L	文件：297.58 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelRuggedPlanarMOSFET GeneralDescription TheAOT1100L/AOB1100Lusesarobusttechnologythatisdesignedtoprovideefficientandreliablepowerconversioneveninthemostdemandingapplications,includingmotorcontrol.WithlowRDS(ON)andexcellentthermalcapabilitythisdeviceisappropriateforhighcurrentsw	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
APD-1100	文件：118.24 Kbytes Page：3 Pages	PropertyofLite-OnOnly	OPTOWAYOptoway Technology Inc 奥普薇科技奥普薇科技股份有限公司	OPTOWAY
APD-1100	文件：67.3 Kbytes Page：2 Pages	InGaAsAvalanchePHOTODIODE	OPTOWAYOptoway Technology Inc 奥普薇科技奥普薇科技股份有限公司	OPTOWAY
APLT1100-T	文件：127.13 Kbytes Page：1 Pages	PLLModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
AQ1100	文件：2.73414 Mbytes Page：8 Pages	Integralfancoolingwithspeedcontrol	SynQor SynQor，Inc.	SynQor
AQ1100IUXX	文件：2.6043 Mbytes Page：8 Pages	ActivePFC;EN61000-3-2compliant	SynQor SynQor，Inc.	SynQor
AR1100	文件：2.05426 Mbytes Page：58 Pages	AR1100ResistiveUSBandRS-232TouchScreenController	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
AR1100-I	文件：2.05426 Mbytes Page：58 Pages	AR1100ResistiveUSBandRS-232TouchScreenController	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

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详细参数

型号：
EP1100ETTPDC
功能描述：
可编程振荡器 1.000 to 107.000MHz
RoHS：
否
制造商：
IDT
封装/箱体：
5 mm x 7 mm x 1.5 mm
频率：
15.476 MHz to 866.67, 975 MHz to 1300 MHz
频率稳定性：
+/- 50 PPM
电源电压：
3.63 V
负载电容：
10 pF
端接类型：
SMD/SMT
输出格式：
LVPECL
最小工作温度：
- 40 C
最大工作温度：
+ 85 C
尺寸：
7 mm W x 5 mm L x 1.5 mm H

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