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HI5810JIJ	文件：423.85 Kbytes Page：12 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold Description TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successiveapproximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HI5810JIP	文件：423.85 Kbytes Page：12 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold Description TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successiveapproximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HI5810KIB	文件：423.85 Kbytes Page：12 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold Description TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successiveapproximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HI5810KIJ	文件：423.85 Kbytes Page：12 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold Description TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successiveapproximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HI5810KIP	文件：423.85 Kbytes Page：12 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold Description TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successiveapproximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF5810	文件：208.71 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-20V) Description TheseP-channelHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicati	IRF International Rectifier	IRF
IRF5810PBF	文件：204.83 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF5810TRPBF	文件：204.83 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
LP5810	文件：4.75766 Mbytes Page：60 Pages	LP5813SynchronousBoost4×3MatrixRGBLEDDriverWithAutonomousControl 1Features •Operatingvoltagerange: –Inputvoltage(VIN)range:0.5Vto5.5V –1.8-Vminimuminputvoltageforstart-up –Logicpinscompatiblewith1.8V,3.3V,and5V •Highefficiencysynchronousboostconverter –Outputvoltage(VOUT)range:3Vto5.5V –140-mΩ(HS)/60-mΩ(LS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LP5810ADSDR	文件：4.75766 Mbytes Page：60 Pages	LP5813SynchronousBoost4×3MatrixRGBLEDDriverWithAutonomousControl 1Features •Operatingvoltagerange: –Inputvoltage(VIN)range:0.5Vto5.5V –1.8-Vminimuminputvoltageforstart-up –Logicpinscompatiblewith1.8V,3.3V,and5V •Highefficiencysynchronousboostconverter –Outputvoltage(VOUT)range:3Vto5.5V –140-mΩ(HS)/60-mΩ(LS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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