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EMX2DXV6T5G中文资料PDF规格书

EMX2DXV6T5G
厂商型号

EMX2DXV6T5G

功能描述

Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor

文件大小

127.01 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-15 11:09:00

EMX2DXV6T5G规格书详情

Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor

This NPN transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-563 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium.

Features

• Reduces Board Space

• High hFE, 210−460 (Typical)

• Low VCE(sat), < 0.5 V

• These are Pb−Free Devices

产品属性

  • 型号:

    EMX2DXV6T5G

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
21+ROHS
EMT6
15050
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三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
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23+
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ROHM/罗姆
23+
NA
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RohmSemiconductor
07+/08+
EMT6
7500
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