EMX2DXV6T5中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	EMX2DXV6T5
功能描述	Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor
文件大小	127.01 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
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更新时间	2025-12-1 14:27:00
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EMX2DXV6T5规格书详情

Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor

This NPN transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-563 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium.

特性 Features

• Reduces Board Space

• High hFE, 210−460 (Typical)

• Low VCE(sat), < 0.5 V

• These are Pb−Free Devices

产品属性

型号：
EMX2DXV6T5
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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