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EMX1DXV6T5G	文件：56.9 Kbytes Page：4 Pages	Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor This NPN transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-563 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. Features • Reduces Board Space • 文件：56.9 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMX1DXV6T5G	文件：65.319 Kbytes Page：4 Pages	Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor This NPN transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-563 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. Features • Reduces Board Space • 文件：65.319 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMZ1DXV6T5	文件：64.8 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：64.8 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMZ1DXV6T5	文件：63.85 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN/PNP Dual (Complementary) This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT−563 which is designed for low power surface mount applications. Features •Lead−Free Solder Plating •Low VCE(SAT), 0 文件：63.85 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMZ1DXV6T5G	文件：64.8 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：64.8 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
EMX1DXV6T5G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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