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厂商型号

EMZ1DXV6T5

功能描述

Dual General Purpose Transistors

文件大小

63.85 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-10-5 12:00:00

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EMZ1DXV6T5规格书详情

Dual General Purpose Transistors

NPN/PNP Dual (Complementary)

This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT−563 which is designed for low

power surface mount applications.

特性 Features

•Lead−Free Solder Plating

•Low VCE(SAT), 0.5 V

•These are Pb−Free Devices

产品属性

  • 型号:

    EMZ1DXV6T5

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
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