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EMT1DXV6T5G	文件：57.05 Kbytes Page：4 Pages	Dual General Purpose Transistor DualGeneralPurposeTransistor PNPDual Thistransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ItishousedintheSOT−563whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •Lead−FreeSolderPlating •LowVCE(SAT),	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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EMX1DXV6T5	文件：56.9 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNGeneralPurposeAmplifierTransistor DualNPNGeneralPurposeAmplifierTransistor ThisNPNtransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSOT-563packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •ReducesBoardSpace •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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EMZ1DXV6T5	文件：64.8 Kbytes Page：5 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EMZ1DXV6T5	文件：63.85 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors NPN/PNPDual(Complementary) Thistransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ItishousedintheSOT−563whichisdesignedforlow powersurfacemountapplications. Features •Lead−FreeSolderPlating •LowVCE(SAT),0	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
EMT1DXV6T5G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多EMT1DXV6T5G供应商更新时间2025-5-2 8:12:00

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