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EMT1DXV6T5G	文件：57.05 Kbytes Page：4 Pages	Dual General Purpose Transistor Dual General Purpose Transistor PNP Dual This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT−563 which is designed for low power surface mount applications. Features • Lead−Free Solder Plating • Low VCE(SAT), 文件：57.05 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMT1DXV6T5G	文件：60.33 Kbytes Page：4 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：60.33 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
EMT1DXV6T5G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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